24岁华人科学家，突破原子级薄晶体管 信托 基金 证券 区别大吗安全吗可靠吗

华裔科学家朱佳迪，带领着他的麻省理工大学团队，研发成功了二硫化钼的“原子级薄晶体管”。媒体惊叹说，这是0的突破，可能改变美国芯片的历史。

在芯片制造领域，存在着一个摩尔定律：1纳米的芯片制程，可能就是芯片制造的极限了。而麻省理工学院朱佳迪团队的研发突破，很可能突破这个1纳米制程限制。

朱家迪领导的团队在原子级晶体管研究方面取得了突破性进展，他们采用了气象沉淀逐层堆叠的生产工艺，不需要使用传统的光刻技术，就能够生产出一纳米甚至以下制成的芯片。这种生产工艺的突破，将会引发芯片革命。

具体来说，传统的生产工艺需要使用光刻机对芯片进行加工，这种方式限制了制造芯片的尺寸，同时也会造成能耗的浪费。而朱家迪领导的团队采用了气象沉淀逐层堆叠的生产工艺，这种方法可以精确地控制原子和分子的位置和方向，从而制造出更小、更节能的芯片。

采用这种生产工艺制造出的芯片，其尺寸将会比目前的芯片小千分之一，功耗也将会降低千分之一。这意味着未来的计算机将会更加小巧、轻便，同时也会更加节能，使得计算机的应用领域得到更大的发展空间。美国麻省理工大学的半导体研究团队成功开发出一种基于“二硫化钼（MoS2）的原子级薄晶体管”，这被认为是芯片领域的一次重大突破。据称，这种晶体管将给芯片带来颠覆性的发展，甚至有可能改写芯片的历史，未来的芯片将会有革命性的变化。

传统的芯片制造需要使用块状材料，经过多轮打磨和堆叠，最终得到纳米级别的晶体管组成的芯片。但是这种方式存在困难和限制，因此科学家们开始尝试使用超薄的二维材料制造晶体管，这些材料仅有三个原子大小，可以实现更强大的芯片。这种方法被认为是芯片制造领域的一次重大突破，有望改变芯片制造的历史。

传统的硅芯片制造需要将硅放在二硫化钼晶圆上，并在超过600摄氏度的高温下进行，但这样会导致普通硅晶体和集成电路在400摄氏度就会损坏。为了解决这个问题，麻省理工大学的朱佳迪教授带领团队使用金属有机化学气相沉积法，拿低温生长区与高温硫化物前体分解区分离，以低于300℃的温度合成二维材料，并直接在8英寸的二硫化钼薄膜CMOS晶圆上生长，无需任何转移过程。这种方法可以避免传统制造方法中的高温损伤问题，同时也提高了生产效率。

使用二硫化钼晶圆的制造方法，能够极大地节省材料，并保证芯片的顺畅，同时也能够节约时间。相比传统的芯片制造方法，这种方法只需要使用60分钟左右的时间进行亮化，而传统方法需要一整天的时间。这意味着，这种方法将彻底改变芯片制造的格局。

华人科学家朱佳迪在芯片制造领域做出了革命性的突破，并为此做出了巨大的历史性贡献。即便在科研强者如云的麻省理工大学，朱佳迪也以第一作者身份发表了学术论文，其导师更是形容他的能力犹如NBA中的“科比”。

总的来说，朱家迪领导的团队在芯片制造方面的突破，将会给计算机产业带来深刻的变革，推动计算机技术的发展进入一个新的阶段。

在麻省理工学院朱佳迪团队制成“原子级晶体管”之前，大家都认为硅基芯片的极限，已经就是1纳米了。以后的科技树发展，很可能就是：碳基芯片、更高端光刻机、晶体管材料堆叠等技术。